Hersteller Produktnummer:
TSM230N06CI C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM230N06CI C0G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A ITO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 42W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventar:
12895215
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TSM230N06CI C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1680 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
TSM230N06CIC0G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK8R2A06PL,S4X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
TK8R2A06PL,S4X-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMT47M2SFVW-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
DMT3020LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
DMTH6005LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
